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一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
摘要文本
本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及射频滤波器技术领域，包括：衬底以及依次层叠于所述衬底上的下电极、压电层、电极框架层和上电极，所述衬底和所述下电极之间形成空腔，所述下电极在所述空腔的垂直投影范围内形成增Q结构，所述上电极和所述压电层之间形成第一空气翼和第一空气桥。第一空气翼和第一空气桥能提高谐振器的Q值；而本申请通过在下电极形成增Q结构，改变了下电极的结构，进一步有效提高了谐振器的Q值。
申请人信息
- 申请人:武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 发明人: 武汉敏声新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311763257.8 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117439569A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H03H9/17 |
| 权利人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 发明人 | 蔡耀; 周杰; 丁志鹏; 谷曦宇; 易康; 余聪; 李习科; 付彪; 孙成亮; 孙博文 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号 |
专利主权项内容
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底以及依次层叠于所述衬底上的下电极、压电层、电极框架层和上电极，所述衬底和所述下电极之间形成空腔，所述下电极在所述空腔的垂直投影范围内形成增Q结构，所述上电极和所述压电层之间形成第一空气翼和第一空气桥。