高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管

摘要文本

本申请涉及高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管，方法包括以下步骤：以Fe‑dope Ga2O3为衬底，在衬底上依次由下至上外延生长缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层为n型掺杂的AlGaO势垒层与非故意掺杂的势垒层，沟道层为非故意掺杂的高电子迁移率半导体沟道层；在势垒层上沉积再生长掩膜层；蚀刻再生长区域；在再生长区域再生长源漏区域，并去除掩膜；在源漏区域制作源漏欧姆电极；隔离有源区域和无源区域；沉积栅金属电极，制得AlGaO/高电子迁移率半导体/Ga2O3场效应晶体管。本申请通过在Ga2O3场效应晶体管中加入高电子迁移率半导体材料，制得高迁移率、高耐压、低漏电的场效应晶体管器件。