一种芯片封装可靠性模型求解翘曲度的方法及系统
摘要文本
本发明提供了一种芯片封装可靠性模型求解翘曲度的方法及系统，属于芯片封装仿真建模领域，方法包括：以实际基板与芯片之间的焊球排布阵列为基准，保持焊球覆盖面大小、焊球相对底填胶所占体积以及焊球高度不变，增大单个焊球的体积和焊球间距，获取稀疏化等效后焊球排布阵列；构建芯片封装可靠性模型，并对芯片封装可靠性模型进行网格划分；建立数值模拟的准静态粘弹分析步，施加对称约束条件，以及加载温度冲击载荷；使用有限元分析方法，求解温度冲击载荷下芯片封装可靠性模型厚度方向的位移量，获取芯片封装的翘曲度。本发明通过对焊球进行稀疏化减少芯片封装可靠性模型的计算时间，同时可以保证翘曲度的计算精度。
申请人信息
- 申请人:武创芯研科技(武汉)有限公司
- 申请人地址:430075 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道以北、荷英路以西药监路一号商务项目B座13层
- 发明人: 武创芯研科技(武汉)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种芯片封装可靠性模型求解翘曲度的方法及系统 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311700062.9 |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117390936B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G06F30/23 |
| 权利人 | 武创芯研科技(武汉)有限公司 |
| 发明人 | 李丽丹; 王诗兆; 陈冉; 余可; 张适 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道以北、荷英路以西药监路一号商务项目B座13层 |
专利主权项内容
1.一种芯片封装可靠性模型求解翘曲度的方法，其特征在于，包括以下步骤：以实际基板与芯片之间的焊球排布阵列为基准，保持焊球覆盖面大小、焊球相对底填胶所占体积以及焊球高度不变，增大单个焊球的体积和焊球之间的间距，获取稀疏化等效后焊球排布阵列；其中，基板位于芯片底部，焊球被底填胶包围；基于稀疏化等效后焊球排布阵列，构建芯片封装可靠性模型，并对芯片封装可靠性模型进行网格划分；对网格划分后的芯片封装可靠性模型，建立数值模拟的准静态粘弹分析步，施加对称约束条件，以及加载温度冲击载荷；使用有限元分析方法，求解温度冲击载荷下芯片封装可靠性模型厚度方向的位移量，获取芯片封装的翘曲度；其中，芯片封装可靠性模型为通过模拟包含芯片、基板、焊球和底填胶的芯片封装结构，计算芯片封装可靠性的立体模型；其中，对芯片封装可靠性模型进行网格划分的方法，具体为：将芯片封装可靠性模型中的焊球和底填胶划分为六面体网格，芯片和基板也划分为六面体网格；其中，单个焊球至少划分成4层，每层至少设置8个六面体网格；底填胶至少划分为四层六面体网格，底填胶对应的六面体网格节点和焊球中的六面体网格节点做共节点耦合处理。 来源：马 克 数 据 网