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一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
摘要文本
本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括衬底结构、挡墙结构、种子层结构和堆叠谐振结构；衬底结构包括第一衬底层、埋氧层和第二衬底层，并且第二衬底层包括空腔和第二衬底本体；挡墙结构位于第二衬底本体靠近空腔的一侧；种子层结构包括单晶氮化铝种子层，单晶氮化铝种子层包括第一牺牲通道，第一牺牲通道贯穿单晶氮化铝种子层；沿种子层结构厚度方向，第一牺牲通道的投影与空腔的投影存在交叠；堆叠谐振结构包括第二牺牲通道，第二牺牲通道贯穿堆叠谐振结构；沿种子层结构厚度方向，第一牺牲通道的投影与第二牺牲通道的投影重合。通过设置单晶氮化铝种子层可以保证薄膜体声波谐振器的整体性能更优。
申请人信息
- 申请人:武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 发明人: 武汉敏声新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311681348.7 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117579026A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H03H9/17 |
| 权利人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 发明人 | 蔡耀; 高超; 邹杨; 周杰; 林炳辉; 丁志鹏; 国世上 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号 |
专利主权项内容
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底结构、挡墙结构、种子层结构和堆叠谐振结构；所述衬底层包括第一衬底层、埋氧层和第二衬底层，所述埋氧层位于所述第一衬底层的一侧，所述第二衬底层位于所述埋氧层远离所述第一衬底层的一侧；所述第二衬底层包括空腔以及围绕所述空腔的第二衬底本体；所述挡墙结构位于所述第二衬底本体靠近所述空腔的一侧，并且所述挡墙结构与所述第二衬底本体贴合；所述种子层结构包括单晶氮化铝种子层，所述单晶氮化铝种子层位于所述第二衬底层远离所述埋氧层的一侧；所述单晶氮化铝种子层包括第一牺牲通道，所述第一牺牲通道贯穿所述单晶氮化铝种子层；沿所述种子层结构厚度方向，所述第一牺牲通道的投影与所述空腔的投影存在交叠；所述堆叠谐振结构位于所述种子层结构远离所述第二衬底层的一侧；所述堆叠谐振结构包括第二牺牲通道，所述第二牺牲通道贯穿所述堆叠谐振结构；沿所述种子层结构厚度方向，所述第一牺牲通道的投影与所述第二牺牲通道的投影重合。