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一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法，所述具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为正六边形形状的单层单晶纳米片，等效直径为5～20μm，厚度为4～25nm。本发明提供的具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为厚度可控的大尺寸单晶，最低可至单层，其作为二维层面下的光电材料具有一定的应用前景。
申请人信息
- 申请人:武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司
- 申请人地址:430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 发明人: 武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311764239.1 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117721539A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | C30B29/46 |
| 权利人 | 武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司 |
| 发明人 | 章嵩; 李宝文; 涂溶; 张联盟; 李志荣; 李迎春 |
| 地址 | 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号; 广东省东莞市大岭山镇颜屋龙园路2号 |
专利主权项内容
1.一种具有超晶格结构的二维BiSe单晶，其特征在于，其为正六边形形状的单层单晶纳米片，等效直径为5～20μm，厚度为4～25nm。43