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自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法、装置及可读介质
摘要文本
本申请涉及一种自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法、装置及可读介质，所述方法包括：基于晶圆上表面的形貌分布和对应的材料参数，计算获得晶圆上表面各坐标点对应的材料移除率；基于各坐标点对应的材料移除率和预先设置的迭代参数，获取有效时间步长；基于材料移除率和有效时间步长执行本次时间迭代，以仿真各坐标点在有效时间步长内的高度变化；基于每次时间迭代后更新的形貌分布，按照上述步骤获取下一次时间迭代的材料移除率、有效时间步长并执行下一次时间迭代，直至晶圆上表面的平均高度达到预设阈值，提高了整个仿真过程中的迭代效率，解决了相关技术中存在的形貌拓扑求解时仿真效率较低的问题。。来自-官网
申请人信息
- 申请人:杭州广立微电子股份有限公司
- 申请人地址:310013 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
- 发明人: 杭州广立微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法、装置及可读介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410071797.8 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117592404A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | G06F30/33 |
| 权利人 | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 张锐; 邢华林 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座 |
专利主权项内容
1.一种自适应时间步长的晶圆抛光仿真方法，其特征在于，所述方法包括：基于晶圆上表面的形貌分布和对应的材料参数，计算获得所述晶圆上表面各坐标点对应的材料移除率；基于所述各坐标点对应的材料移除率和预先设置的迭代参数，获取有效时间步长；基于所述材料移除率和所述有效时间步长执行本次时间迭代，以仿真所述各坐标点在所述有效时间步长内的高度变化，获得所述晶圆上表面更新的形貌分布；基于每次时间迭代后更新的形貌分布，按照上述步骤获取下一次时间迭代的材料移除率、有效时间步长并执行下一次时间迭代，直至所述晶圆上表面的平均高度达到预设阈值，所述平均高度基于更新后的形貌分布获取。 百度马 克 数据网