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一种半导体功率器件制造用刻蚀机

申请号: CN202410005336.0
申请人: 浙江大学
申请日期: 2024/1/2

摘要文本

本发明公开了一种半导体功率器件制造用刻蚀机,涉及半导体湿法蚀刻技术领域,包括箱体,所述箱体的顶部固定安装有刻蚀池,所述刻蚀池的顶部设置有滑动刻蚀结构,所述滑动刻蚀结构包括安装槽和滑动座,两个所述安装槽对称开设在箱体的顶部两侧位置,所述滑动座滑动安装在安装槽的内部,所述滑动座的前部和后部均并列开设有上滑道和下滑道,所述滑动座的内部开设有异形槽,所述异形槽的内部通过滑轮滑动安装有滑块。本发明所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,通过控制不同的半导体功率器件在刻蚀池中匀速运动的速率,确保整个器件表面都与刻蚀液均匀接触,从而实现更加精确与一致的加工结果,提高半导体功率器件的加工精度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种半导体功率器件制造用刻蚀机
专利类型 发明申请
申请号 CN202410005336.0
申请日 2024/1/2
公告号 CN117711989A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 浙江大学
发明人 侯家宇
地址 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

专利主权项内容

1.一种半导体功率器件制造用刻蚀机,包括箱体(1),所述箱体(1)的顶部固定安装有刻蚀池(2),其特征在于,所述刻蚀池(2)的顶部设置有滑动刻蚀结构(3);所述滑动刻蚀结构(3)包括安装槽(5)和滑动座(6),两个所述安装槽(5)对称开设在箱体(1)的顶部两侧位置,所述滑动座(6)滑动安装在安装槽(5)的内部,所述滑动座(6)的前部和后部均并列开设有上滑道(7)和下滑道(8),所述滑动座(6)的内部开设有异形槽,所述异形槽的内部通过滑轮(10)滑动安装有滑块(9),所述滑块(9)的前部和后部均固定安装有上限位块(11)和下限位块(12),且上限位块(11)和下限位块(12)分别与上滑道(7)和下滑道(8)适应性匹配,所述滑块(9)的顶部固定安装有支杆(13),所述箱体(1)的两侧对称转动安装有左转动块一(14)、左转动块二(15)、右转动块一(16)和右转动块二(17),且左转动块一(14)和左转动块二(15)、右转动块一(16)和右转动块二(17)分别处于同一垂直轴线,所述左转动块一(14)和右转动块一(16)、左转动块二(15)和右转动块二(17)分别处于同一水平线,所述右转动块一(16)和右转动块二(17)的前部分别固定安装有从动齿轮,所述箱体(1)的两侧靠近一端中间位置均固定安装有安装块(18),所述安装块(18)的后部靠近中心位置转动安装有主动齿轮(19),且主动齿轮(19)与从动齿轮啮合,所述左转动块一(14)和右转动块一(16)的外部套设有上传动带(20),所述左转动块二(15)和右转动块二(17)的外部套设有下传动带(21),所述上传动带(20)和下传动带(21)的外部分别固定安装有上拨杆(22)和下拨杆(23)。 (更多数据,详见)