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一种促进絮凝剂胁迫下沉水植物生长的方法

申请号: CN202410182221.9
申请人: 浙江省生态环境科学设计研究院
申请日期: 2024/2/19

摘要文本

本发明公开了一种促进絮凝剂胁迫下沉水植物生长的方法,步骤如下:长势良好的沉水植物幼苗,修剪清洗后于5?15%霍格兰营养液中预培养,挑选长势一致的幼苗,清洗后得到待种植幼苗;避光条件下,用CaCl2溶液配置浓度为100?400μM的硝普钠预处理液;在恒温避光条件下,将待种植幼苗完全浸入预处理液中,预处理3?5小时,用去离子水清洗干净备用;将预处理后的幼苗移植到含絮凝剂的水体中。该方法针对水体中絮凝剂污染导致的沉水植物生长受抑问题,提高植物对絮凝剂毒害的耐受性,促进植物在絮凝剂环境下的生长,适用于沉水植物在不同絮凝剂积累量的水体中恢复重建,操作简单、经济生态、效果显著。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种促进絮凝剂胁迫下沉水植物生长的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410182221.9
申请日 2024/2/19
公告号 CN117730762A
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 A01G31/00
权利人 浙江省生态环境科学设计研究院
发明人 刘文婧; 谭映宇; 陈俊刚; 周启圳; 任旭锋; 张宇; 钱璨
地址 浙江省杭州市西湖区天目山路109号

专利主权项内容

1.一种促进絮凝剂胁迫下沉水植物生长的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)幼苗预培养:长势良好的沉水植物幼苗,修剪清洗后于5-15%霍格兰营养液中预培养15-20天,挑选长势一致的幼苗,清洗后得到待种植幼苗;(2)预处理液配置:避光条件下,用CaCl溶液配置浓度为100-400 μM的硝普钠预处理液,置于暗处备用;2(3)幼苗预处理:在恒温避光条件下,将待种植幼苗完全浸入预处理液中,预处理3-5小时,然后用去离子水清洗干净备用;(4)移植:将预处理后的幼苗移植到含絮凝剂的水体中。