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一种环境气氛下多能场诱导原子级数控加工装置及方法
摘要文本
本发明涉及一种环境气氛下多能场诱导原子级数控加工装置及方法，属于纳米制造领域，该装置包括电磁屏蔽腔和控制机构；电磁屏蔽腔内部设有环境腔体，环境腔体底部设有工件放置平台，顶部设有通过纳米工具执行机构驱动的纳米工具，电磁屏蔽腔上还设有与环境腔体连通的进气口和出气口；控制机构用于控制工件放置平台和纳米工具执行机构以及施加能场，包括力场、温度场、电场、光场和磁场。该装置解决了传统原子层沉积和刻蚀技术中依赖掩膜获得局域特征和无法实现原子级可控制造的问题，又解决了扫描隧道显微镜原子操纵技术中依赖超高真空、超低温环境，只能用于特定材料且操纵效率低等问题，具有原子级精度、效率高、成本低和通用性好等优势。
申请人信息
- 申请人:浙江大学
- 申请人地址:310012 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 发明人: 浙江大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种环境气氛下多能场诱导原子级数控加工装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410231816.9 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117800285A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | B81C1/00 |
| 权利人 | 浙江大学 |
| 发明人 | 朱吴乐; 孙奇; 吴思东; 贾炳春; 王靖远; 高威; 韩放; 薛曹阳; 赵翔; 张伟建; 居冰峰 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
专利主权项内容
1.一种环境气氛下多能场诱导原子级数控加工装置，其特征在于：其包括电磁屏蔽腔和控制机构；所述的电磁屏蔽腔内部设有环境腔体，环境腔体的底部设有工件放置平台，环境腔体的顶部设有通过纳米工具执行机构驱动的纳米工具，工件放置平台用于放置工件并使工件沿X、Y轴方向移动，所述的纳米工具执行机构用于控制纳米工具在工件放置平台上方沿X、Y、Z轴方向移动，所述的电磁屏蔽腔上还设有与环境腔体连通的进气口和出气口，进气口用于向环境腔体内输送活性媒介，出气口用于将环境腔体内的废气排出；所述的控制机构用于控制工件放置平台和纳米工具执行机构，控制机构还用于向环境腔体施加能场进而改变环境腔体内部的环境气氛，能场包括力场、温度场、电场、光场和磁场。。数据由马 克 数 据整理