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一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法

申请号: CN202410217008.7
申请人: 西湖大学
申请日期: 2024/2/28

摘要文本

本发明涉及一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法,整个超导二极管器件从上到下依次包括金属性电极层、范德瓦尔斯超导材料层、衬底层,其中金属性电极层用电子束蒸镀所得到;范德瓦尔斯超导材料层通过胶带解离块材样品得到。本发明未采用任何异质结构,利用单一的超导材料制备成本征超导二极管,这种超导二极管在零磁场的环境下就可以有效工作。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410217008.7
申请日 2024/2/28
公告号 CN117812992A
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 H10N60/10
权利人 西湖大学
发明人 乐天; 许卓锴; 娄哲丰; 林效
地址 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号

专利主权项内容

1.一种不依赖磁场的本征超导二极管器件,其特征在于,包括衬底层、贴附在衬底层上并具有时间反演对称性破缺性质的范德瓦尔斯超导材料层、以及蒸镀在所述范德瓦尔斯超导材料层上的金属性电极层。