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一种E-fuse单元和E-fuse测试阵列的绕线方法
摘要文本
本申请涉及一种E?fuse单元和E?fuse测试阵列的绕线方法，该E?fuse单元包括E?fuse和编程晶体管，E?fuse的一端与编程晶体管的漏端相连；E?fuse的另一端通过三层金属绕线引出，并在左右两侧分别将第三金属线的端部作为第一引脚；编程晶体管的源端通过三层金属绕线引出，并在左右两侧分别将第三金属线的端部作为第二引脚；通过三层金属绕线引出，包括：通过接触孔、第一金属线、第一通孔、第二金属线、第二通孔、第三金属线依次连接引出；其中，第一金属线、第二金属线、第三金属线是不同层的金属线。通过三层金属绕线的方式生成E?fuse单元的引脚，从而对E?fuse单元的引脚与金属焊盘之间的绕线电阻进行控制。
申请人信息
- 申请人:杭州广立微电子股份有限公司
- 申请人地址:310013 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
- 发明人: 杭州广立微电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种E-fuse单元和E-fuse测试阵列的绕线方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410039818.8 |
| 申请日 | 2024/1/11 |
| 公告号 | CN117556778A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | G06F30/394 |
| 权利人 | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 发明人 | 尤炎; 杨璐丹; 施姣 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座 |
专利主权项内容
1.一种E-fuse单元，其特征在于，包括E-fuse和编程晶体管，所述E-fuse的一端与所述编程晶体管的漏端相连；所述E-fuse的另一端通过多层金属绕线引出，并在左右两侧分别将所述多层金属绕线中最后端金属线的端部作为第一引脚，即作为所述E-fuse单元的两个第一引脚；所述编程晶体管的源端通过多层金属绕线引出，并在左右两侧分别将所述多层金属绕线中最后端金属线的端部作为第二引脚，即作为所述E-fuse单元的两个第二引脚；所述通过多层金属绕线引出，包括：多层金属绕线形成网状走线，并利用通孔连接相邻金属层的金属线；最前端的金属线通过接触孔连接所述E-fuse的另一端或所述编程晶体管的源端。