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类视网膜短波红外光电探测器、应用及感算一体神经网络
摘要文本
本发明提供一种类视网膜短波红外光电探测器、应用及感算一体神经网络,在InGaAs衬底上若干个光敏元按照线列方式排列,光敏元包括淀积MSM结构的金属电极,各光敏元上形成两个背靠背的肖特基二极管,实现线性的正负光响应;光敏元的一侧为公共电极,另一侧为各个光敏元的独立电极,通过调控线列上每个光敏元两端的电压来对正负光响应进行调控。本发明的短波红外InGaAs探测器在0.9μm~1.7μm波段具有非制冷室温工作、探测率高、可靠性高等优点,并采用MSM结构产生正负可调的光响应,最终实现具有边缘计算能力的轻量化、智能化感算一体红外光电感知系统。
申请人信息
- 申请人:国科大杭州高等研究院
- 申请人地址:310024 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号
- 发明人: 国科大杭州高等研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 类视网膜短波红外光电探测器、应用及感算一体神经网络 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410077659.0 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117594623A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 国科大杭州高等研究院 |
| 发明人 | 苗金水; 林宏忆; 蒋潇勇; 付晓; 徐敏霞; 胡伟达 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号 |
专利主权项内容
1.类视网膜短波红外光电探测器,其特征在于:在InGaAs衬底上若干个光敏元按照线列方式排列,光敏元包括淀积MSM结构的金属电极,各光敏元上形成两个背靠背的肖特基二极管,实现线性的正负光响应;光敏元的一侧为公共电极,另一侧为各个光敏元的独立电极,通过调控线列上每个光敏元两端的电压来对正负光响应进行调控。