← 返回列表
一种碲化镉薄膜电池及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种碲化镉薄膜电池及其制备方法，其中，一种碲化镉薄膜电池的制备方法，包括：在进行TCO镀膜基底深度清洁步骤中，采用溅射工艺的等离子体辉光对TCO镀膜基底的表面进行清洁并同步在TCO镀膜基底表面沉积不连续层；所述不连续层的材质与TCO镀膜基底表层的材质或者与后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构的材质相同。本发明利用溅射工艺的等离子体辉光对TCO表面进行清洁、活化，起到减少TCO层表面缺陷的作用，同时，不连续层可起到增强后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构与TCO镀膜基底表层的结合力的作用，不会作为杂质存在于电池内部，达到提升电池转化效率的效果。
申请人信息
- 申请人:龙焱能源科技(杭州)有限公司
- 申请人地址:310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道凌云街801号
- 发明人: 龙焱能源科技(杭州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碲化镉薄膜电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410246468.2 |
| 申请日 | 2024/3/5 |
| 公告号 | CN117832333A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 龙焱能源科技(杭州)有限公司 |
| 发明人 | 徐学雷; 汤顺伟; 麻永强 |
| 地址 | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道凌云街801号 |
专利主权项内容
1.一种碲化镉薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括：在进行TCO镀膜基底深度清洁步骤中，采用溅射工艺的等离子体辉光对TCO镀膜基底的表面进行清洁并同步在TCO镀膜基底表面沉积不连续层；所述不连续层的材质与TCO镀膜基底表层的材质或者与后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构的材质相同。 （来自 ）