半导体结构及其形成方法

专利主权项内容

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底上分立的鳍部以及位于所述鳍部上的一个或多个沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述牺牲层与所述沟道层材料不同；在所述鳍部上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述沟道叠层，所述伪栅结构覆盖所述沟道叠层的部分顶壁和部分侧壁；刻蚀所述伪栅结构两侧的所述沟道叠层，形成第一凹槽；横向去除所述第一凹槽侧壁露出的部分宽度的所述牺牲层，形成位于所述沟道层与所述鳍部间的第二凹槽，或者形成位于所述沟道层间以及所述沟道层与所述鳍部间的第二凹槽；在所述第二凹槽中形成半导体层；在所述半导体层表面以及所述第一凹槽中形成源漏掺杂层；在形成所述源漏掺杂层后，去除所述伪栅结构，形成第一开口；去除所述牺牲层，形成由所述半导体层、鳍部和沟道层，或者由半导体层和沟道层围成的通道，所述通道与所述第一开口连通；在形成所述通道后，在所述通道内的所述半导体层上覆盖内侧墙层；在形成所述内侧墙层后，在所述第一开口和通道中形成金属栅极结构。。数据由马 克 数 据整理