半导体结构及其形成方法

专利主权项内容

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构顶部；在所述栅极结构两侧的介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述源漏掺杂层顶部；在所述第一接触孔内形成与所述源漏掺杂层电连接的第一导电层，所述第一导电层顶部低于所述栅极结构顶部；沿所述基底表面的法线方向上，所述第一导电层顶部和所述栅极结构顶部的高度差为15nm至30nm；形成所述第一导电层的步骤包括：在所述第一接触孔内填充第一导电材料层；去除部分厚度的所述第一导电材料层，保留所述第一接触孔内的剩余第一导电材料层作为所述第一导电层；在所述第一接触孔内形成第一导电层后，在所述第一导电层露出的第一接触孔侧壁上形成侧壁层；形成侧壁层的步骤包括：形成保形覆盖所述第一导电层露出的第一接触孔侧壁和所述第一导电层顶部的侧壁膜，所述侧壁膜还覆盖所述介质层顶部；去除所述第一导电层顶部以及所述介质层顶部的侧壁膜，保留位于所述第一接触孔侧壁的侧壁膜作为所述侧壁层；形成所述侧壁层后，在所述第一接触孔内形成第二导电层，所述第二导电层和第一导电层用于构成第一接触孔插塞。