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一种半导体器件及其制作方法、电子装置

申请号: CN201810778073.1
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
更新日期: 2026-03-08

摘要文本

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,所述方法包括 : 提供半导体衬底,所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离,所述浅沟槽隔离上形成有栅极结构;在所述栅极结构上形成图案化的光刻胶层;以所述图案化的光刻胶层为掩膜蚀刻所述栅极结构和所述浅沟槽隔离,以在所述浅沟槽隔离中形成凹槽;在所述凹槽中形成屏蔽场板。根据本发明提供的半导体器件的制作方法,通过在栅极上形成图案化的光刻胶层,然后以图案化的光刻胶层为掩膜蚀刻栅极和浅沟槽隔离,并在蚀刻浅沟槽隔离形成的凹槽中形成屏蔽场板,简化了工艺步骤,节约了工艺成本,提高了器件性能。

专利主权项内容

1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离,所述浅沟槽隔离上形成有栅极结构;在所述栅极结构上形成图案化的光刻胶层;以所述图案化的光刻胶层为掩膜蚀刻所述栅极结构和所述浅沟槽隔离,以形成第一凹槽和第二凹槽,其中,蚀刻部分栅极结构和部分浅沟槽隔离以形成第一凹槽,蚀刻栅极结构直至露出所述浅沟槽隔离的上表面以形成第二凹槽,所述第二凹槽将所述栅极结构分隔为第一栅极结构和第二栅极结构;在所述第一凹槽中形成屏蔽场板。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种半导体器件及其制作方法、电子装置
专利类型 发明授权
申请号 CN201810778073.1
申请日 2018年7月16日
公告号 CN110729190B
公开日 2024年2月27日
IPC主分类号 H01L21/336
权利人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人 伏广才; 宣荣峰
地址 上海市浦东新区张江路18号; 北京市大兴区文昌大道18号