晶体生长炉

专利主权项内容

1.一种晶体生长炉，包括：
主炉室，所述主炉室围绕形成有反应室；
炉盖，所述炉盖设于所述反应室的上方；
副炉室，所述副炉室通过所述炉盖与所述主炉室连接；
提拉组件，所述提拉组件设于所述副炉室的上方，用于提拉晶棒；
其特征在于，所述晶体生长炉配置有至少一个用于观察所述反应室的CCD检测组件，所述炉盖上设有用于固定所述CCD检测组件的CCD支架，所述CCD支架包括：
固定支架，所述固定支架装设于所述炉盖上；
第一移动支架，所述第一移动支架装设于所述固定支架上，并沿第一方向延伸；
旋转支架，所述旋转支架可转动地设置于所述第一移动支架上，且所述旋转支架具有沿所述第一方向相对所述第一移动支架移动的活动自由度，所述CCD检测组件通过所述旋转支架连接至所述第一移动支架。