IGBT器件及其形成方法

专利主权项内容

1.一种IGBT器件，其特征在于，包括一衬底，所述衬底中具有一有源区和一位于所述有源区外围的终端区，在所述有源区中形成有多个元胞结构，在所述终端区中形成有至少一个场板结构；其中，在所述终端区的衬底中形成有多个场板沟槽，所述场板沟槽沿着所述有源区的边界围绕在所述有源区的外围，多个所述场板沟槽往远离所述有源区的方向以环形结构依次排布；所述场板结构包括第一介质层和第一导电层，所述第一介质层覆盖所述场板沟槽的侧壁和底部，所述第一导电层形成在所述第一介质层上并位于所述场板沟槽中；并且，所述场板沟槽具有倾斜侧壁，所述第一导电层覆盖所述场板沟槽的倾斜侧壁；以及，在所述终端区的衬底中还形成有多个场限环，所述场限环包括第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于相邻的场板沟槽之间的衬底中，并从所述衬底的顶表面向所述衬底的内部扩展延伸，所述第一掺杂区和所述第一导电层电连接。