具有电磁屏蔽结构的Sip模组的制作方法及装置

专利主权项内容

1.一种具有电磁屏蔽结构的SiP模组的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、制作基板，所述基板包括自下而上依次层叠设置的支撑层、导电层和绝缘层，所述基板上预设有若干的单个SiP模组布设区和用于分隔单个SiP模组的切割道，所述绝缘层内、在所述单个SiP模组布设区设有至少一个间隔导电端，所述绝缘层内、在所述切割道上设置边缘导电端，所述间隔导电端和所述边缘导电端的下端面分别与所述导电层连接，所述间隔导电端和边缘导电端的上端面裸露于所述基板的上表面并与所述基板的上端面齐平；S2、在所述基板的上表面的单个SiP模组布设区上焊接电子元件，将有抗电磁干扰要求的所述电子元件单独布设于所述间隔导电端一侧；S3、形成塑封层于所述基板的上表面，所述塑封层包覆所有的电子元件；S4、在所述塑封层上开设共型屏蔽槽和间隔屏蔽槽，所述共型屏蔽槽开设于所述边缘导电端的正上方，使所述边缘导电端的上端面露出；所述间隔屏蔽槽开设于所述间隔导电端的正上方，使所述间隔导电端的上端面露出，得到待涂布电磁屏蔽胶的SiP模组；S5、将步骤S4制得的SiP模组置于电磁屏蔽胶涂布装置的真空室中，进行电磁屏蔽胶涂布工艺：在所述SiP模组的塑封层上表面上放置屏蔽胶，使用一移动刮板沿所述SiP模组的塑封层上表面往复移动，使所述屏蔽胶填满所述间隔屏蔽槽和共型屏蔽槽，并在所述SiP模组的塑封层上表面上形成一层屏蔽层；S6、沿所述切割道裂片，形成单个具有电磁屏蔽结构的SiP模组。