电阻式随机访问存储器和制作技术

专利主权项内容

1.一种自对准存储器装置，包括：导电性底部插塞结构，设置在绝缘层内，其中，该导电性底部插塞的顶部表面和该绝缘层的顶部表面是实质地共平面；自对准平面型底部电极，设置在该导电性底部插塞结构上并在该绝缘层的该顶部表面的至少一部分上，其中，该自对准底部电极的厚度在50埃至100埃的范围内，其中，该导电性底部插塞结构的宽度小于自对准平面型底部电极的宽度；平面型切换材料层，设置在该自对准平面型底部电极上；平面型活性金属材料层，设置在该平面型切换材料层上；平面型顶部电极，设置在该平面型活性金属材料层之上；以及蚀刻该自对准平面型底部电极、该平面型切换材料层、该平面型活性金属材料层和该平面型顶部电极，以形成柱状结构在该绝缘层之上。