半导体器件及其形成方法

专利主权项内容

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和鳍部，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的上方分别对应设置有所述鳍部；在所述半导体衬底和所述鳍部的表面形成第一源掺杂薄膜，所述第一源掺杂薄膜覆盖所述鳍部的表面；在相邻所述鳍部之间形成层间介质层，所述第一源掺杂薄膜位于所述层间介质层与所述鳍部、以及与所述半导体衬底之间；除去部分所述层间介质层和部分所述第一源掺杂薄膜，以暴露所述鳍部的顶部表面；除去所述第一区域上方的所述鳍部，以形成第一凹槽；除去所述第一凹槽两侧的所述第一源掺杂薄膜；形成覆盖所述第一凹槽两侧壁的第二源掺杂薄膜；在所述第一凹槽内形成第一替代鳍部；和采用退火工艺处理所述层间介质层。