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一种PVT法SiC单晶生长坩埚
摘要文本
上海界纪进出口有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型涉及SiC单晶生长技术领域，尤其为一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括第一外坩埚、第二外坩埚和内坩埚，所述第二外坩埚顶部开设有控温孔，所述第二外坩埚内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条，所述第二外坩埚内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座。本实用新型中，通过设置的第一外坩埚、第二外坩埚、冷却管、内坩埚底座和内坩埚顶座，通过控温孔测量结晶处的温度，并进行控制，内坩埚底部与籽晶处需要存在一定的温差，来保证结晶的质量，通过向冷却管内循环通入冷却介质带走热量，可以确保温差，提高结晶质量。
专利主权项内容
1.一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括第一外坩埚(1)、第二外坩埚(2)和内坩埚(9)，其特征在于：所述第二外坩埚(2)顶部开设有控温孔(14)，所述第二外坩埚(2)内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条(4)，所述第二外坩埚(2)内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座(17)，所述内坩埚顶座(17)边缘处呈圆周阵列设置有第二导热凸起(18)，所述内坩埚顶座(17)内部开设有空腔(15)，所述空腔(15)内部固定设置有冷却管(19)，所述冷却管(19)一端固定连接有进水管(13)，所述冷却管(19)另一端固定连接有出水管(16)。。来自马-克-数-据
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种PVT法SiC单晶生长坩埚 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323377927.0 |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN222064715U |
| 公开日 | 2024/11/26 |
| IPC主分类号 | C30B23/00 |
| 权利人 | 上海界纪进出口有限公司 |
| 发明人 | 邱艳丽; 李天运 |
| 地址 |