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一种发光二极管

申请号: CN202323405932.8
申请人: 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
更新日期: 2026-04-22

摘要文本

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本申请公开了一种发光二极管,本申请技术方案设置有贯穿第二半导体结构和发光层延伸至第一半导体结构的第一通孔,第一通孔包括依次设置的第1级子孔至第N级子孔,相邻两级子孔的孔径不同,即第一通孔为多台阶通孔结构。一方面,第一通孔能够基于各级子孔之间的台阶结构减少垂直高度差异,减小通孔区域体积,以增强产品机械强度,还能够缓冲发光二极管内部膜层应力,避免介质层剥离或断裂问题;另一方面,由于金属‑半导体欧姆接触对应的串联电阻与接触面积成反比,而多台阶通孔结构可以增加金属与半导体的接触面积,故采用多台阶结构有利于降低串联电阻,变电流情况下使得发光二极管的工作电压增大趋势降低,改善大电流情况下的压升现象。

专利主权项内容

1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
外延层,所述外延层包括依次层叠的第一半导体结构、发光层和第二半导体结构;
第一通孔,所述第一通孔贯穿所述第二半导体结构以及所述发光层,延伸至所述第一半导体结构内;在所述第二半导体结构指向所述第一半导体结构的方向上,所述第一通孔包括:依次设置的第1级子孔至第N级子孔,N为大于1的正整数;同一所述第一通孔中,第i级子孔位于所述第一半导体结构内,第i+1级子孔基于第i级子孔的底部向所述第一半导体结构内延伸,i为小于N的正整数;
位于所述第一通孔内的导电填充结构,所述导电填充结构与所述第一半导体结构电接触,且与所述发光层以及所述第二半导体结构绝缘;
第一电极,所述第一电极位于所述导电填充结构背离所述第一半导体结构的一侧,且与所述导电填充结构电连接;
第二电极,所述第二电极与所述第二半导体结构电连接。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种发光二极管
专利类型 实用新型
申请号 CN202323405932.8
申请日 2023/12/13
公告号 CN222071965U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 H01L33/38
权利人 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
发明人 郭茂峰; 沈侠强; 李世焕; 金全鑫; 张荣艳
地址 福建省厦门市海沧区兰英路99号