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固定脉宽超高速阴极选通电路、像增强器、夜视仪
申请人信息
- 申请人:杭州华维欧源科技有限公司
- 申请人地址:310000 浙江省杭州市西湖区西溪路525号C楼5603室
- 发明人: 杭州华维欧源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 固定脉宽超高速阴极选通电路、像增强器、夜视仪 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420648310.3 |
| 申请日 | 2024/3/29 |
| 公告号 | CN222073123U |
| 公开日 | 2024/11/26 |
| IPC主分类号 | H03H11/04 |
| 权利人 | 杭州华维欧源科技有限公司 |
| 发明人 | 张浩 |
| 地址 | 浙江省杭州市西湖区西溪路525号C楼5603室 |
摘要文本
杭州华维欧源科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型公布了一种固定脉宽超高速阴极选通电路及对应的砷化镓基像增强器，固定脉宽超高速阴极选通电路包括驱动IC、GaN MOSFET、限流电阻、电容和充电电阻。此固定脉冲超高速阴极选通电路在GaN MOSFET的导通和关断的过程中由于电容充放电将正向脉冲转换成正负高压脉冲，由GaN MOSFET的导通速度决定脉冲下降沿速度，充电电阻的延迟时间决定脉冲上升沿速度，最终输出亚纳秒正负高压脉冲，通过此亚纳秒正负高压脉冲控制砷化镓基像增强器阴极开关导通或者关闭。
专利主权项内容
1.一种固定脉宽超高速阴极选通电路，其特征在于，包括：
驱动IC、GaN MOSFET、限流电阻、电容和充电电阻，所述的GaN MOSFET栅极连接驱动IC，漏极连接高电压电源输入端，源极接地，电容一端连接高电压电源输入端，一端连接低电压电源输入端和输出端口，限流电阻一端连接高电压电源输入端，一端连接电容和GaNMOSFET漏极，充电电阻一端连接低电压电源输入端，一端连接电容和输出端；
触发脉冲进入驱动IC触发GaN MOSFET导通，瞬间把电容一端电压由高电压电源输入端对应的正高电压拉至0V，电容另一端产生一个亚纳秒下降脉冲，同时正脉冲变为负脉冲；利用低电压电源对电容进行充电，由充电电阻产生的延时形成一个亚纳秒的上升脉冲，同时负脉冲变为正脉冲，在这个过程中，脉冲频率没有发生改变，脉宽没变，最终产生一个固定脉宽上升下降沿为亚纳秒级的正负高压脉冲。 关注微信公众号