存储装置

专利主权项内容

1.一种存储装置，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的至少一层存储器件层，所述存储器件层包括：
绝缘层，包括竖直方向层叠设置的第一绝缘层和第二绝缘层；
至少一存储单元，所述存储单元包括读取晶体管和写入晶体管，所述读取晶体管包括第一栅极、第一栅介质层、第一沟道、第一漏极和第一源极，所述第一绝缘层靠近所述第二绝缘层一侧设置有容置孔，所述第一沟道至少形成在所述容置孔侧壁的部分区域，所述第一漏极和所述第一源极间隔设置在所述容置孔外，所述第一漏极位于所述第一源极远离所述第二绝缘层一侧，所述第一漏极和所述第一源极均与所述第一沟道连接，所述第一栅介质层至少覆盖所述第一沟道，所述第一栅极形成在所述容置孔内且位于所述第一栅介质层远离所述第一沟道一侧；
所述写入晶体管包括第二栅极、第二栅介质层、第二沟道和第二源极，所述第二沟道至少部分位于所述容置孔内，所述第二沟道的漏极端与所述第一栅极连接，所述第二源极与所述第二沟道连接，所述第二栅极形成在所述第二沟道远离所述第一栅介质层一侧，所述第二栅介质层形成在所述第二栅极与所述第二沟道之间。