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一种图案化正置QLED器件

申请号: CN202420583612.7
申请人: 北京理工大学
更新日期: 2026-04-22

摘要文本

北京理工大学取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型提出一种图案化正置QLED器件,包括基板、金属反射层、阳极电极、像素隔离、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极电极;基板采用玻璃衬底,设置在最下层;金属反射层设置在基板顶部,阳极电极设置在金属反射层顶部;像素隔离设置在阳极电极顶部,像素隔离依据预设像素位置形成多个像素隔离单元;像素隔离单元中心形成凹槽结构,阳极电极处于凹槽结构内;空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层依次由下至上设置在凹槽结构中;阴极电极设置在基板顶部,并环绕在像素隔离外侧。本实用新型提供了通过像素隔离后全溶液制备的正置QLED器件,能够实现高效地制备顶发射图案化QLED器件。

专利主权项内容

1.一种图案化正置QLED器件,其特征在于,所述图案化正置QLED器件包括基板(1)、金属反射层、阳极电极(21)、像素隔离(2)、空穴注入层(3)、空穴传输层、量子点发光层(4)、电子传输层(5)和阴极电极(22);
所述基板(1)采用玻璃衬底,设置在最下层;
所述金属反射层设置在基板(1)顶部,所述阳极电极(21)设置在所述金属反射层顶部;
所述像素隔离(2)设置在所述阳极电极(21)顶部,所述像素隔离(2)依据预设像素位置形成多个像素隔离单元;
所述像素隔离单元中心具有凹槽结构,所述阳极电极(21)处于凹槽结构内;
所述空穴注入层(3)、空穴传输层、量子点发光层(4)和电子传输层(5)依次由下至上设置在所述凹槽结构中;
所述阴极电极(22)设置在所述基板(1)顶部,并环绕在所述像素隔离(2)外侧。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种图案化正置QLED器件
专利类型 实用新型
申请号 CN202420583612.7
申请日 2024/3/25
公告号 CN222073789U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 H10K59/10
权利人 北京理工大学
发明人 景宇宇; 姚明宇; 钟海政
地址 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学