集成芯片

专利主权项内容

1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
处理衬底；
半导体层，包括光栅耦合器区域和边缘耦合器区域；
绝缘层，位于所述处理衬底和所述半导体层之间；
光栅耦合器，位于所述光栅耦合器区域，包括布置在所述半导体层中的多个沟槽；以及
边缘耦合器，位于所述半导体层的所述边缘耦合器区域中，包括：
底部结构，具有靠近所述绝缘层的边缘的第一端，以及从所述第一端横向延伸的渐缩侧壁；以及
上部结构，在所述底部结构上方延伸，上部结构具有靠近所述绝缘层的所述边缘的第一端，以及从所述第一端横向延伸在所述底部结构的所述渐缩侧壁之间的渐缩侧壁，
其中所述上部结构的所述第一端与所述绝缘层的所述边缘相距第一距离，而所述底部结构的所述第一端与所述绝缘层的所述边缘相距第二距离，
且所述第二距离不同于所述第一距离，以及
其中所述处理衬底从所述多个沟槽的正下方连续地延伸到所述上部结构的正下方。 微信公众号