单芯片集成半桥

专利主权项内容

1.单芯片集成半桥，其特征在于，包括从下而上依次设置的第二阴极(10)、外延片(1)和隔离层(6)；
所述外延片(1)内设有：
第一重掺杂P区(2)，从所述外延片(1)的顶面向下延伸，位于第一轻掺杂N区(14)内；
第一重掺杂N区(3)，从所述外延片(1)的顶面向下延伸，位于第一轻掺杂N区(14)内；所述外延片(1)的顶面设有通过第一重掺杂N区(3)并向下延伸至第二轻掺杂N区(12)的沟槽(4)；
第二重掺杂P区(5)，从所述沟槽(4)的底面向下延伸；
第二阳极(9)，从所述沟槽(4)的底面向上延伸，与所述外延片(1)的顶面齐平；
所述隔离层(6)内设有：
第一阳极(7)，从所述隔离层(6)的顶面向下延伸与第一重掺杂P区(2)连接；
第一阴极(8)，从所述隔离层(6)的顶面向下延伸与第一重掺杂N区(3)和第二阳极(9)连接。