一种功率MOSFET器件
摘要文本
无锡固电半导体股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型涉及一种功率MOSFET器件，包括背面金属层、N+型外延层、N‑型衬底、P+型阱区、N++型内环源区、N++型外环源区、N+型内环源区、N+型外环源区、栅氧化层、多晶硅层、钝化层与正面金属层，在P+型阱区的正面向下形成有N++型内环源区与N++型外环源区，在N++型内环源区的背面形成有N+型内环源区，在N++型外环源区的背面形成有N+型外环源区。本实用新型增强器件正向偏置安全工作区FBSOA，改进了功率MOSFET器件的源极结构，从而使功率MOSFET器件更适合于在线性模式下使用，适用于如电子负载，音频功放，线性稳压器、超声高频外科集成系统等应用领域。
专利主权项内容
1.一种功率MOSFET器件，包括N-型衬底(3)，在N-型衬底(3)的背面形成有N+型外延层(2)，在N+型外延层(2)的背面形成有背面金属层(1)，背面金属层(1)引出形成漏极(D)；
在N-型衬底(3)的正面向下形成有环形的P+型阱区(4)，其特征是：在P+型阱区(4)的正面向下形成有N++型内环源区(5-1)与N++型外环源区(5-2)，在N++型内环源区(5-1)的背面形成有N+型内环源区(6-1)，在N++型外环源区(5-2)的背面形成有N+型外环源区(6-2)，在N-型衬底(3)的正面向上形成有栅氧化层(7)与正面金属层(10)，正面金属层(10)引出形成源极(S)，正面金属层(10)与部分N++型内环源区(5-1)以及部分N++型外环源区(5-2)接触，栅氧化层(7)与剩余部分的N++型内环源区(5-1)以及剩余部分N++型外环源区(5-2)接触，在栅氧化层(7)的正面向上形成有多晶硅层(8)，多晶硅层(8)引出形成栅极(G)，在多晶硅层(8)与正面金属层(10)之间形成有钝化层(9)；
所述N+型外延层(2)的离子注入浓度大于N-型衬底(3)的离子注入浓度；
所述N++型内环源区(5-1)的离子注入浓度大于N+型内环源区(6-1)的离子注入浓度，N++型外环源区(5-2)的离子注入浓度大于N+型外环源区(6-2)的离子注入浓度。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种功率MOSFET器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323354440.0 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN222282005U |
| 公开日 | 2024/12/31 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 易琼红; 左勇强; 龚利汀 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区新梅路68号 |