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一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS
摘要文本
泰科天润半导体科技(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；阱区，所述阱区连接至所述漂移层，所述阱区内设有源区；低阻结构层，所述低阻结构层穿过所述阱区连接至所述漂移层；栅介质层，所述栅介质层连接至所述阱区以及低阻结构层，所述栅介质层上设有沟槽；源极金属层，所述源极金属层连接至所述阱区以及源区；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内，且所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。。关注公众号
专利主权项内容
1.一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS，其特征在于，包括：
碳化硅衬底；
漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；
阱区，所述阱区连接至所述漂移层，所述阱区内设有源区；
低阻结构层，所述低阻结构层穿过所述阱区连接至所述漂移层；
栅介质层，所述栅介质层连接至所述阱区以及低阻结构层，所述栅介质层上设有沟槽；
源极金属层，所述源极金属层连接至所述阱区以及源区；
栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内，且所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；
以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420932275.8 |
| 申请日 | 2024/4/30 |
| 公告号 | CN222282006U |
| 公开日 | 2024/12/31 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 发明人 | 张长沙; 陈彤; 李昀佶; 杨光锐 |
| 地址 | 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 |