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一种GaN基半导体发光芯片
申请人信息
- 申请人:安徽格恩半导体有限公司
- 申请人地址:237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 发明人: 安徽格恩半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种GaN基半导体发光芯片 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323102722.1 |
| 申请日 | 2023/11/17 |
| 公告号 | CN222051801U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑锦坚; 蓝家彬; 李晓琴; 张江勇; 陈婉君; 王星河 |
| 地址 | 安徽省六安市金安区巢湖路288号 |
摘要文本
安徽格恩半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型公开了一种GaN基半导体发光芯片，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，所述量子阱与p型半导体之间具有至少一电子溢流抑制层；所述电子溢流抑制层的热导率a大于等于p型半导体的热导率b；电子溢流抑制层的击穿场强c小于等于p型半导体层的击穿场强d。本实用新型调控量子阱的能带结构和导带带阶，提升量子阱的电子溢流势垒，降低电子溢流几率，降低大电流下的效率衰减。 微信公众号
专利主权项内容
1.一种GaN基半导体发光芯片，从下至上依次包括衬底(100)、n型半导体(101)、量子阱(102)和p型半导体(104)，其特征在于，所述量子阱(102)与p型半导体(104)之间具有至少一电子溢流抑制层(103)；所述电子溢流抑制层(103)的热导率a大于等于p型半导体(104)的热导率b；电子溢流抑制层(103)的击穿场强c小于等于p型半导体(104)层的击穿场强d。