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半导体装置
摘要文本
台湾积体电路制造股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本公开提出一种半导体装置。特别关于场效晶体管(FET)。基板包括多个鳍状突出部分，其中多个源/漏极区形成在基板的鳍状突出部分上。源/漏极区横向相邻且电性耦合纳米结构通道。介电材料部分填充鳍状突出部分之间的多个间隙且部分耦接至源/漏极区。阻挡层位于介电材料上且覆盖部分源/漏极区。源/漏极接触形成在阻挡层中且部分接触源/漏极区。在源/漏极区之间的间隙中的金属到装置接触下方形成的阻挡层和介电材料导致例如栅极‑漏极电容(Cgd)的金属接触的寄生电容降低。 来自：马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：
一基板；
由多个纳米结构通道构成的一垂直堆叠，覆盖在该基板上；
一栅极结构，环绕多个所述纳米结构通道；
多个源/漏极区，位于该基板上，在一第一方向横向相邻且电性耦接至多个所述纳米结构通道；
一第一介电层，在横向于该第一方向的一第二方向上至少部分填充多个所述源/漏极区之间的多个间隙；
一第二介电层，位于该第一介电层上方，且在横向于该第一方向和该第二方向的一第三方向上部分覆盖多个所述源/漏极区；
一源/漏极接触，部分耦接至多个所述源/漏极区，该源/漏极接触在该第二方向上接触该第二介电层且在该第三方向上接触该第一介电层；以及
一第三介电层，位于该第二介电层上，且在该第一方向和该第二方向上接触该源/漏极接触。。来源：马 克 团 队
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420239361.0 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN222053759U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H10B10/00 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 张家豪; 王志豪; 游家权; 刘育均; 江国诚 |
| 地址 | 台湾省新竹市 |