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一种包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒

申请号: CN202420358222.X
申请人: 苏州固太科技有限公司
更新日期: 2026-05-18

摘要文本

苏州固太科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,一种包覆有Ga‑LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒,包括:一正极基板;一正极浆料层涂覆在该正极基板上,该正极浆料层包括:含有结合剂的正极浆料,及多个正极颗粒,其各包括:一NCM大颗粒;其外表面被众多Ga‑LLZO细颗粒及众多LATP细颗粒所包覆,整体形成复合NCM大颗粒;其中该Ga‑LLZO细颗粒及该LATP细颗粒在该NCM大颗粒上呈一凸弧型的分布;该Ga‑LLZO细颗粒的底部与该NCM大颗粒之间形成一Ga‑LLZO介相层,该LATP细颗粒的底部与该NCM大颗粒之间形成一LATP介相层。该复合NCM大颗粒的外围包覆的CNT为短链CNT,短链CNT长度介于0.5微米至1微米。

专利主权项内容

1.一种包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒,其特征在于,包括:
一正极基板,为一载板用于承载一正极的材料;
一正极浆料层涂覆在该正极基板上,其中该正极浆料层包括:
含有结合剂的正极浆料;
多个正极颗粒分布在该正极浆料内,各正极颗粒包括:一NCM大颗粒;
其中该NCM大颗粒呈不规则的立方体形状,其外表面被众多Ga-LLZO细颗粒及众多LATP细颗粒所包覆,其整体形成复合NCM大颗粒;
其中该Ga-LLZO细颗粒在该NCM大颗粒上呈一凸弧型的分布,为中间高两端平缓的型态;该Ga-LLZO细颗粒的底部与该NCM大颗粒之间形成一Ga-LLZO介相层;
其中该LATP细颗粒在该NCM大颗粒上呈一凸弧型的分布,为中间高两端平缓的型态;该LATP细颗粒的底部与该NCM大颗粒之间形成一LATP介相层;
当锂离子通过该正极时,能通过分散的该Ga-LLZO细颗粒的导引,而分散锂离子的渠道;该Ga-LLZO细颗粒、该LATP细颗粒及该NCM大颗粒均为晶体结构;
其中该复合NCM大颗粒的外围包覆有CNT,该CNT为短链CNT,其长度介于0.5微米至1微米。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒
专利类型 实用新型
申请号 CN202420358222.X
申请日 2024/2/27
公告号 CN222233673U
公开日 2024/12/24
IPC主分类号 H01M4/36
权利人 苏州固太科技有限公司
发明人 陈文忠; 王伯萍
地址 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区30幢1706室