半导体装置结构

专利主权项内容

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
一第一源极/漏极外延结构，形成于一基板上；
一第二源极/漏极外延结构，形成于该基板上并与该第一源极/漏极结构相邻；
两个或更多第一半导体层，位于该第一源极/漏极外延结构与该第二源极/漏极外延结构之间；
一栅极层，围绕多个所述第一半导体层的一个的一部分；以及
一隔离结构，位于该基板上并与该第二源极/漏极外延结构相邻，且该隔离结构包括：
一介电结构；
一介电材料，接触该介电结构的露出表面；以及
一浅沟槽隔离，位于该介电结构之下，且该浅沟槽隔离包括：
一第一部分，与该介电结构相邻，且该介电材料围绕并接触该第一部分；以及
一第二部分，位于该第一部分之下，且该基板围绕并接触该第二部分。