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半导体器件、存储系统及电子设备
摘要文本
新存科技(武汉)有限责任公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种半导体器件、存储系统及电子设备;半导体器件包括第一电极、存储层以及第二电极;存储层包括相对设置的第一表面和第二表面、以及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,第一电极位于第一表面的一侧,第二电极位于第二表面的一侧;其中,存储层为双向阈值开关层,半导体器件还包括覆盖于第一侧面的第一保护层;本实用新型可以对存储层的第一侧面起到保护作用,降低存储层发生氧化、刻蚀损伤以及漏电现象的概率,改善半导体器件的阈值转变电压漂移现象,提高半导体器件的电性稳定性以及良品率。
专利主权项内容
1.一种半导体器件,其特征在于,包括第一电极、存储层以及第二电极;
所述存储层包括相对设置的第一表面和第二表面、以及连接于所述第一表面和所述第二表面之间的第一侧面,所述第一电极位于所述第一表面的一侧,所述第二电极位于所述第二表面的一侧;
其中,所述存储层为双向阈值开关层,所述半导体器件还包括覆盖于所述第一侧面的第一保护层。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件、存储系统及电子设备 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420587606.9 |
| 申请日 | 2024/3/25 |
| 公告号 | CN222148126U |
| 公开日 | 2024/12/10 |
| IPC主分类号 | H10B63/00 |
| 权利人 | 新存科技(武汉)有限责任公司 |
| 发明人 | 陈彬; 高国勤; 杨红心; 周凌珺; 骆金龙; 贺祖茂; 刘峻 |
| 地址 | 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区) |