一种屏蔽栅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片

专利主权项内容

1.一种屏蔽栅沟槽MOS器件，其特征在于，所述屏蔽栅沟槽MOS器件包括：N型衬底层以及形成于N型衬底层正面的N型漂移层；漏极层，形成于所述N型衬底层的背面；第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，分别形成于所述N型漂移层的凹槽两侧壁；其中，所述N型漂移层为凹型结构；第一P阱、第二P阱，分别设于所述N型漂移层的两侧部上方；第一N型源区、第二N型源区，分别设于所述第一P阱和所述第二P阱上；P型重掺杂层，设于所述N型漂移层的凹槽底部，且所述P型重掺杂层为凹型结构；栅极介质层、屏蔽栅多晶硅层，所述栅极介质层隔离所述屏蔽栅多晶硅层；第一控制栅多晶硅层、第二控制栅多晶硅层，分别位于所述屏蔽栅多晶硅层的两侧，且与所述屏蔽栅多晶硅层之间由所述栅极介质层隔离；封装层、屏蔽栅电极，所述屏蔽栅电极通过所述封装层上的通孔与所述屏蔽栅多晶硅层接触；第一栅极电极、第二栅极电极，通过所述封装层分别与所述第一控制栅多晶硅层、所述第二控制栅多晶硅层接触；第一源极电极、第二源极电极，所述第一源极电极通过所述封装层上的通孔分别与所述第一N型源区和所述第一P阱接触；所述第二源极电极通过所述封装层上的通孔分别与所述第二N型源区和所述第二P阱接触。