一种具有MOS沟槽隔离区的探测装置及其形成方法

摘要文本

成都燧石蓉创光电技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种具有MOS沟槽隔离区的探测装置及其形成方法，属于半导体技术领域，解决了沟槽形成工艺所带来的材料表面缺陷和电学性能退化的问题。该装置包括：第一外延层设置在晶圆的半导体衬底上方，具有第一掺杂类型；势垒层设置在第一外延层上方；第二外延层设置势垒层上方，其掺杂类型与第一外延层的第一掺杂类型相反；多个隔离沟槽，穿过第二外延层和势垒层，到达第一外延层并且将晶圆划分为多个有源区，在隔离沟槽的表面处具有缺陷区域；氧化物层，包括致密的氧化物，位于隔离沟槽的侧壁和底面上；金属电极，在隔离沟槽中位于氧化物层上方。通过对金属电极施加电信号而降低缺陷区域对器件性能的影响且整个沟槽内的金属处于相互连接状态。