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含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用
申请人信息
- 申请人:四川大学
- 申请人地址:610044 四川省成都市一环路南一段24号
- 发明人: 四川大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311667403.7 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117649863A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | G11B7/241 |
| 权利人 | 四川大学 |
| 发明人 | 朱建华; 张震; 符旭会; 杨东旭 |
| 地址 | 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |
摘要文本
本发明公开了一种含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用，按照质量份数计包括以下组分：25～50份的成膜剂，5～25份的单体丙烯酰胺，1～10份的亚甲基双丙烯酰胺，0.1～1份的多面体齐聚倍半硅氧烷POSS，0.01～0.1份的光敏剂，1～10份的单体丙烯酸，0.1～2份的三乙醇胺。通过在聚乙烯醇/丙烯酰胺体系中掺杂POSS纳米材料并进行配比，显著改善了材料的体积收缩率，同时保持了原材料体系的高衍射效率、高感光灵敏度、高空间分辨率等性能指标，在全息显示、全息存储、干涉计量等领域有良好的应用价值。。来自：马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料，其特征在于，按照质量份数计包括以下组分：25～50份的成膜剂，5～25份的单体丙烯酰胺，1～10份的亚甲基双丙烯酰胺，0.1～1份的多面体齐聚倍半硅氧烷POSS，0.01～0.1份的光敏剂，1～10份的单体丙烯酸，0.1～2份的三乙醇胺。 搜索马 克 数 据 网