一种SiC MOSFET振荡抑制电路
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西南交通大学取得“一种透气窗帘布”专利技术， （来源 专利查询网） 本发明涉及SiC MOSFET技术领域，具体公开了一种SiC MOSFET振荡抑制电路，针对现有的开关振荡抑制方法驱动设计复杂、抑制效果有限、开关损耗增大的问题，所设计的SiC MOSFET振荡抑制电路包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1，在器件开关暂态过程中，该电路不仅能够很好地箝位器件关断期间漏源极电压超调，而且不会影响器件的开通和关断速度，不会增加开关损耗；该电路主要使用二极管、电阻和电容等无源器件，设计方法非常简单，易于实现；当输入电压或栅极电阻等电路参数发生变化时，该电路均能有效抑制箝位电容电压下的开关振荡。此外，与RC方法相比，该电路具有更小的振荡峰值。
专利主权项内容
1.一种SiC MOSFET振荡抑制电路，其特征在于，连接在双脉冲电路中，包括第一二极管D、第二二极管D、第一电阻R、第二电阻R以及电容C；12121所述双脉冲电路包括输入电压V、去耦电容C、第一SiC MOSFET管Q、第二SiC MOSFET管Q、电感L、驱动电压V，所述去耦电容C并联在所述输入电压V两端，所述第一SiCMOSFET管Q的漏极连接所述输入电压V的正极端，所述第一SiC MOSFET管Q的源极连接所述电感L后连接所述第一SiC MOSFET管Q的漏极，所述第一SiC MOSFET管Q的源极连接所述第二SiC MOSFET管Q的漏极，所述第二SiC MOSFET管Q的栅极连接驱动电压V后与所述第二SiC MOSFET管Q的源极共同连接所述输入电压V的负极端；in12Gin1in11122G2in所述第一电阻R的一端和所述第二电阻R的一端共同连接所述第一SiC MOSFET管Q的漏极；所述第二电阻R的另一端反向连接所述第二二极管D后连接所述电容C的一端和所述第一二极管D的负极端，所述电容C的另一端连接所述第二SiC MOSFET管Q的源极，所述第一二极管D的正极端连接所述第二SiC MOSFET管Q的漏极。12122111212
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC MOSFET振荡抑制电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311677555.5 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117674554A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H02M1/00 |
| 权利人 | 西南交通大学 |
| 发明人 | 陈健; 宋文胜; 许建平; 岳豪 |
| 地址 | 四川省成都市金牛区二环路北一段111号 |