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具有非均匀折射率分布的多结FP激光器及制备方法
申请人信息
- 申请人:天津赛米卡尔科技有限公司
- 申请人地址:300401 天津市北辰区双口镇河北工业大学科技园9号楼402-1
- 发明人: 天津赛米卡尔科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有非均匀折射率分布的多结FP激光器及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311698564.2 |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117638644A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01S5/20 |
| 权利人 | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 天津市北辰区双口镇河北工业大学科技园9号楼402-1 |
摘要文本
天津赛米卡尔科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种具有非均匀折射率分布的多结FP激光器及制备方法,FP激光器沿外延生长方向依次包括:n‑型欧姆电极、衬底、缓冲层、n‑型包层、发光区、p‑型包层,p‑型盖帽层、p‑型欧姆电极,发光区由N个重复的子发光区和N‑1个隧穿层组成,N≥2,子发光区包括限制层和有源区,限制层的材料为AlxGa1‑xAs,Al组分的组分系数0≤x≤1;限制层还可以采用Al组分渐变层组成,Al组分在同一限制层中呈直线增加或线性减小;本申请中N个子发光区对应的限制层的整体折射率是非均匀分布的,通过改变限制层的折射率来调控每个限制层内部有源区的光场和电场分布,实现有源区光场的强耦合效果,减少p‑型包层区对光子的吸收,进而提高发光区的整体发光效率。
专利主权项内容
1.一种具有非均匀折射率分布的多结FP激光器,沿外延生长方向依次包括:n-型欧姆电极(101)、衬底(100)、缓冲层(200)、n-型包层(300)、发光区(400)、p-型包层(500),p-型盖帽层(600)、p-型欧姆电极(102),其特征在于,所述发光区(400)由N个子发光区(401)和N-1个隧穿层(430)组成,N≥2,隧穿层(430)设置在两个相邻的子发光区(401)之间,子发光区(401)包括限制层和有源区,所述限制层的材料为AlGaAs,其中,Al组分的组分系数0≤x≤1,发光区(400)中所有限制层的整体折射率呈非均匀分布,限制层整体折射率的变化趋势为中间低,两边阶梯状升高。x1-x