一种半导体器件加工方法、系统及电子设备

专利主权项内容

1.一种半导体器件加工方法，其特征在于，包括：在半导体器件加工开始后，监测各反应腔室的半导体器件的表面光学特性变化量和/或电学特性变化量；在所述表面光学特性变化量和/或电学特性变化量指示该批半导体器件加工进入半导体蚀刻阶段之前，获取各反应腔室中半导体器件附近的指定位置处的等离子体密度，并基于各等离子体密度获取目标等离子体密度；对于每一反应腔室，将所述目标等离子体密度输入第一输出功率预测模型，输出第一目标输出功率，并将所述反应腔室的第一射频电源的输出功率调整至所述第一目标输出功率；所述第一射频电源用于产生和维持等离子体；所述第一输出功率预测模型通过第一样本训练得到，所述第一样本包括等离子体密度样本和对应的第一输出功率样本；在所述表面光学特性变化量和/或电学特性变化量指示该批半导体器件加工进入半导体蚀刻阶段之后，获取各反应腔室中半导体器件的所述指定位置处的等离子体功率，并基于各等离子体功率获取目标等离子体功率；对于每一反应腔室，将所述目标等离子体功率输入第二输出功率预测模型，输出第二目标输出功率，并将所述反应腔室的第二射频电源的输出功率调整至所述第二目标输出功率，以完成对所述反应腔室中的半导体器件的蚀刻加工；所述第二射频电源用于控制作用于所述半导体器件上的等离子体的能量；所述第二输出功率预测模型通过第二样本训练得到，所述第二样本包括等离子体功率样本和对应的第二输出功率样本。