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一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉

申请号: CN202311669195.4
申请人: 宁夏金海兴昇碳化硅有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉
专利类型 发明申请
申请号 CN202311669195.4
申请日 2023/12/7
公告号 CN117663781A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 F27D1/00
权利人 宁夏金海兴昇碳化硅有限公司
发明人 杨天; 彭瑞; 张光礼
地址 宁夏回族自治区银川市惠农区红果子工业园区管委会楼内

摘要文本

宁夏金海兴昇碳化硅有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉,包括炉底,在炉底上方四周利用耐火砖围成并用水泥包覆密封的环保密封炉墙,其中,炉底由具有微通道结构的耐火砖制成,冶炼炉还包括:在炉底下层设置的导气道。本申请炉底和炉顶区域铺设大粒径物料,使底部物料间能够形成气体排放的通道,确保有害气体顺利通过炉底耐火砖层的微通道排出,炉墙邻近位置处铺设小粒径物料,使向此方向流动的有害气体穿透受阻被迫向上或向下排放至尾气收集系统内,从而提升了密封式冶炼炉的透气性,降低了产品的杂质含量,提高了产品的一级品率。

专利主权项内容

1.一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉,包括炉底(1),在炉底上方四周利用耐火砖围成并用水泥包覆密封的环保密封炉墙(2),其特征在于,所述炉底(1)由包含微通道(111)的耐火砖(11)制成,微通道(111)从耐火砖(11)的顶面贯通至耐火砖(11)的底面,微通道(111)的直径为200μm~300μm,耐火砖(11)中的微通道(111)的密度为300个/cm~350个/cm;22所述冶炼炉还包括:在所述炉底(1)下层设置的导气道(112),导气道(112)由横向设置在包含微通道(111)的耐火砖(11)上的通孔组成,导气道与微通道(111)连通。