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制作IGBT的方法及IGBT半导体结构
申请人信息
- 申请人:物元半导体技术(青岛)有限公司
- 申请人地址:266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
- 发明人: 物元半导体技术(青岛)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 制作IGBT的方法及IGBT半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311852336.6 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497411A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 物元半导体技术(青岛)有限公司 |
| 发明人 | 张梦晨; 吕昆谚; 黄任生; 颜天才; 杨列勇; 陈为玉; 张天仪 |
| 地址 | 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室 |
摘要文本
本发明涉及一种制作IGBT的方法及IGBT半导体结构，该方法至少包括以下步骤：提供一器件晶圆，器件晶圆包括相互背离的第一表面和第二表面；在器件晶圆的第一表面上形成半导体器件功能区，半导体器件功能区包括金属层；提供一支撑晶圆，支撑晶圆包括相互背离的第三表面和第四表面；将器件晶圆和支撑晶圆进行键合，且器件晶圆的第一表面与支撑晶圆的第三表面相对；对器件晶圆从第二表面的一侧进行减薄；对支撑晶圆从第四表面的一侧进行减薄；形成由支撑晶圆的第四表面侧贯通至半导体器件功能区中的金属层的孔洞；对器件晶圆执行IGBT背面工艺。该方法极大地简化了生产工艺，在获得稳定支撑的情况下可以获得整体更小的厚度。
专利主权项内容
1.一种制作IGBT的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括相互背离的第一表面和第二表面；在所述器件晶圆的第一表面上形成半导体器件功能区，所述半导体器件功能区包括形成在所述器件晶圆的所述第一表面或所述第一表面之下的金属层；提供一支撑晶圆，所述支撑晶圆包括相互背离的第三表面和第四表面；将所述器件晶圆和所述支撑晶圆进行键合，且所述器件晶圆的所述第一表面与所述支撑晶圆的所述第三表面相对；对所述器件晶圆从所述第二表面的一侧进行减薄；对所述支撑晶圆从所述第四表面的一侧进行减薄；形成由所述支撑晶圆的所述第四表面侧贯通至所述半导体器件功能区中的所述金属层的孔洞；对所述器件晶圆执行IGBT背面工艺。