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基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法
申请人信息
- 申请人:青岛立昂晶电半导体科技有限公司
- 申请人地址:266100 山东省青岛市高新区河东路383号2号楼101户
- 发明人: 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311684951.0 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117393473A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 青岛立昂晶电半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 李雪峰; 肖迪; 囤国超 |
| 地址 | 山东省青岛市高新区河东路383号2号楼101户 |
摘要文本
本发明涉及半导体领域,本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法,包括:基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中;根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系,确定清洗液成分配比;获取晶片尺寸规格,基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型,获取第一参数控制量;获取成分配比后清洗液的设定温度,基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型,获取第二参数控制量;本发明有利于提高清洗效率,节约清洗能耗。
专利主权项内容
1.基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法,其特征在于,所述方法包括:确定M个待清洗晶片的污染信息,基于污染信息将每个所述待清洗晶片依次划分入N个待清洗晶片批次中,每个所述待清洗晶片批次中包含待清洗晶片的数量K,所述污染信息包括污染物集合和污染程度系数,M、N和K均为大于零的正整数;根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系,确定待清洗晶片批次所需的清洗液成分配比;获取晶片尺寸规格,基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量K、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型,获取待清洗晶片批次的第一参数控制量,所述第一参数控制量包括最佳清洗水量和最佳清洗液使用量;获取成分配比后清洗液的设定温度,基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量K、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型,获取待清洗晶片批次的第二参数控制量;所述第二参数控制量包括最佳清洗时长和最佳超声波功率;根据第一参数控制量和第二参数控制量对待清洗晶片批次中的所有待清洗晶片进行批量清洗。