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一种注入剥离方法以及其中氢离子注入的方法
申请人信息
- 申请人:青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址:048000 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼
- 发明人: 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种注入剥离方法以及其中氢离子注入的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311754060.8 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117438293B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/265 |
| 权利人 | 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 |
| 发明人 | 王世冲; 母凤文; 郭超 |
| 地址 | 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼 |
摘要文本
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种注入剥离方法以及其中氢离子注入的方法，所述氢离子注入的方法包括：注入氢离子，所述氢离子包括质量数为1的第一氢离子和质量数为2的第二氢离子团。所述注入剥离方法包括：(1)在施给衬底的下部进行所述注入氢离子，形成氢离子聚集区；(2)将所述施给衬底与受主衬底进行键合，得到键合组合体；(3)步骤(2)所述键合组合体经退火，实现注入剥离。本发明能够缩短氢离子注入的时间、减少氢离子注入时源气以及其他耗材的消耗，从而达到提高作业效率并降低制造成本的目的。
专利主权项内容
1.一种注入剥离中氢离子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：注入氢离子，所述氢离子包括质量数为1的第一氢离子和质量数为2的第二氢离子团；所述第二氢离子团占所述氢离子质量的20~80wt%；所述注入氢离子的顺序为：先注入质量数为2的第二氢离子团，再注入质量数为1的第一氢离子。