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基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法
申请人信息
- 申请人:广东电网有限责任公司电力科学研究院; 华中科技大学
- 申请人地址:510080 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号
- 发明人: 广东电网有限责任公司电力科学研究院; 华中科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311185660.7 |
| 申请日 | 2023/9/13 |
| 公告号 | CN117350223A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | G06F30/373 |
| 权利人 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院; 华中科技大学 |
| 发明人 | 李巍巍; 杨柳; 马凯; 谭令其; 李盈; 马燕君; 李歆蔚; 林磊; 邓天豪; 时晓洁; 王智强; 辛国庆 |
| 地址 | 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号; 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
摘要文本
本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。 来源：专利查询网
专利主权项内容
1.一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，所述换流器包括多个子模块，且各所述子模块均以SiC MOSFET开关器件为控制开关，其特征在于，该方法包括：S1，确定令换流器稳定运行的子模块电容C约束、桥臂电感L约束及单桥臂子模块数N；00S2，在预设功率因数下，计算子模块开关频率f取不同值时对应的换流器总损耗P，通过拟合得到P和f的函数关系；其中，所述预设功率因数为换流器总损耗最大时的功率因数；swloss_totloss_totswS3，通过仿真得到L和C在各自约束范围内取不同值时使换流器稳定运行的最小开关频率，并通过拟合得到最小开关频率与L、C的函数关系；0000S4，在所述子模块电容约束及桥臂电感约束下，通过最小化P、L、C，得到换流器参数f、L、C的最优取值。loss_tot00sw00。详见官网：