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一种用于形成高导电金属结构的激光诱导前向转移方法
申请人信息
- 申请人:广东工业大学; 广州炬森智慧科技有限公司
- 申请人地址:510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 发明人: 广东工业大学; 广州炬森智慧科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于形成高导电金属结构的激光诱导前向转移方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311605253.7 |
| 申请日 | 2023/11/27 |
| 公告号 | CN117637246A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01B13/00 |
| 权利人 | 广东工业大学; 广州炬森智慧科技有限公司 |
| 发明人 | 龙江游; 林境豪; 罗炳军 |
| 地址 | 广东省广州市越秀区东风东路729号; 广东省广州市增城区新城大道400号增城低碳总部园新城创业中心14号楼101 |
摘要文本
本发明公开了一种用于形成高导电金属结构的激光诱导前向转移方法，包括以下步骤：A、准备金属转移膜片和受体基片；B、将转移激光作用于金属转移膜片，并在受体基片的顶部沉积形成中间结构；C、将中间结构加热至800℃以上，冷却后得到金属转移结构；金属转移膜片包括相互贴合的透明衬底和转移金属层；转移金属层包括铜和银，且转移金属层的含银量为5～95％；转移金属层至少包括两层转移薄膜，且与透明衬底的内表面相互接触的转移薄膜为铜薄膜或铜合金薄膜，铜合金薄膜的含铜量≥70％。本方案提出转移方法，其通过在转移方法中增设热退火步骤，同时对用于金属转移的转移金属层进行层次结构的优化，有利于获得低孔隙率和低电阻率的金属转移结构。
专利主权项内容
1.一种用于形成高导电金属结构的激光诱导前向转移方法，其特征在于，包括以下步骤：A、准备金属转移膜片和受体基片；B、将转移激光作用于所述金属转移膜片，并在所述受体基片的顶部沉积形成中间结构；C、将步骤B中的所述中间结构加热至800℃以上，冷却后得到金属转移结构；步骤A中，所述金属转移膜片包括相互贴合的透明衬底和转移金属层；所述透明衬底的外表面用于直接接触所述转移激光，所述转移金属层包括铜和银，且按照质量百分比，所述转移金属层的含银量为5～95％；所述转移金属层至少包括两层转移薄膜，且与所述透明衬底的内表面相接触的转移薄膜为铜薄膜或铜合金薄膜；按照质量百分比，所述铜合金薄膜的含铜量≥70％。