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一种碳基薄膜沉积过渡金属氢氧化物的加工方法及装置
申请人信息
- 申请人:广东工业大学
- 申请人地址:510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 发明人: 广东工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳基薄膜沉积过渡金属氢氧化物的加工方法及装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311487310.6 |
| 申请日 | 2023/11/8 |
| 公告号 | CN117551991A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | C23C18/12 |
| 权利人 | 广东工业大学 |
| 发明人 | 刘辉龙; 柯晓春; 甘力天; 肖志文; 郑宇; 陈云; 陈新; 陈桪; 黄光汉; 刘益鸣 |
| 地址 | 广东省广州市东风东路729号 |
摘要文本
本发明涉及碳基薄膜加工技术领域，提供了一种碳基薄膜沉积过渡金属氢氧化物的加工方法及装置，其方法包括步骤：S1、利用乙醇将碳基薄膜的表面杂质去除，利用去离子水对碳基薄膜进行清洗，对碳基薄膜进行干燥；S2、对碳基薄膜进行碳化，利用活化剂对碳基薄膜进行活化，对碳基薄膜依次进行清洗和干燥；S3、将碳基薄膜浸泡在过渡金属盐溶液内，利用焦耳热快速卷对卷的方式对碳基薄膜进行加工，对碳基薄膜依次进行清洗和干燥；S4、将碳基薄膜放置在充满流动氮气的高温炉内进行退火处理。本发明的加工方法可以快速且简易的在导电基底沉淀过渡金属氢氧化物纳米粒子，且能提高其可控性并大幅度降低成本，以适用于大规模的生产。
专利主权项内容
1.一种碳基薄膜沉积过渡金属氢氧化物的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、先利用乙醇将碳基薄膜的表面杂质去除，再利用去离子水对去除表面杂质后的所述碳基薄膜进行第一次清洗，之后对第一次清洗后的所述碳基薄膜进行第一次干燥；S2、先对第一次干燥后的所述碳基薄膜进行碳化，再利用活化剂对碳化后的所述碳基薄膜进行活化，之后对活化后的所述碳基薄膜依次进行第二次清洗和第二次干燥；S3、先将第二次干燥后的所述碳基薄膜浸泡在过渡金属盐溶液内，再利用焦耳热快速卷对卷的方式对浸泡后的所述碳基薄膜进行加工，之后对加工后的所述碳基薄膜依次进行第三次清洗和第三次干燥；S4、将经过第三次干燥后的所述碳基薄膜放置在充满流动氮气的高温炉内进行退火处理。