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硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构
申请人信息
- 申请人:广东工业大学
- 申请人地址:510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 发明人: 广东工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311653726.0 |
| 申请日 | 2023/12/4 |
| 公告号 | CN117672841A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L21/308 |
| 权利人 | 广东工业大学 |
| 发明人 | 陈云; 吴文轩; 侯茂祥; 张子超; 张浩; 马莉; 陈新 |
| 地址 | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
摘要文本
来自：马 克 团 队 。本发明提供了一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO2掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。本发明的硅柱阵列的器件连接结构的制造方法制造效率高，质量好，可靠性高，生产成本低。
专利主权项内容
1.一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；2S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。