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一种电镜实验室磁屏蔽结构、磁屏蔽方法及介质

申请号: CN202311431050.0
申请人: 广州市第三市政工程有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种电镜实验室磁屏蔽结构、磁屏蔽方法及介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311431050.0
申请日 2023/10/31
公告号 CN117580349A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 H05K9/00
权利人 广州市第三市政工程有限公司
发明人 骆俊; 王晓璜; 何亮; 颜苓; 雷昂; 招日兴; 布振华; 刘碧君; 赖坤龙; 林丰; 陈珊
地址 广东省广州市越秀区环市东路358号5-6楼

摘要文本

本申请实施例提供了一种电镜实验室磁屏蔽结构、磁屏蔽方法及介质,该磁屏蔽结构包括:贴合在实验室内壁上的硅钢片层;硅钢片层内侧设置有主屏蔽层;主屏蔽层内侧底部设置有减震台;主屏蔽层内侧且位于减震台上方设置有铝板层,铝板层内侧设置有主动消磁线圈;主屏蔽层与硅钢片层用于消除低频交流磁场;本发明的磁屏蔽结构中以预处理后的低碳钢板和坡莫合金条组成的主屏蔽层及硅钢片层,有效消除低频交流磁场影响;采用铝板有效消除高频交流磁场影响;采用主动消磁线圈有效消除直流磁场影响,采用坡莫合金条增强焊缝处磁屏蔽性能,使得主屏蔽层具有优越的磁屏蔽性能,降低了建造成本。 专利查询网

专利主权项内容

1.一种电镜实验室磁屏蔽结构,包括:贴合在实验室内壁上的硅钢片层;其特征在于,所述硅钢片层内侧设置有主屏蔽层;所述主屏蔽层内侧底部设置有减震台;所述主屏蔽层内侧且位于所述减震台上方设置有铝板层,所述铝板层内侧设置有主动消磁线圈;所述主屏蔽层与硅钢片层用于消除低频交流磁场。